О нас

Группа компаний «Нитридные кристаллы» (ГКНК) была основана в 2007 г. путем интеграции компаний, связанных с разработкой широкозонных полупроводников. Группа компаний «Нитридные кристаллы» ориентирована на коммерциализацию научного потенциала, накопленного в результате собственных научно-технических разработок.

ГКНК является разработчиком и производителем передовых полупроводниковых материалов и приборов, среди которых нитрид алюминия (AlN) и карбид кремния (SiC).

ГКНК производит и предлагает затравки нитрида алюминия (AlN) на пластинах TaC. Затравки AlN, предлагаемые ГКНК, в настоящее время имеют диаметр 15 мм и 2 дюйма. Компания также предлагает вольфрамовую печь для выращивания кристаллов нитрида алюминия (AlN) диаметром 2-4 дюйма. Печь может поставляться вместе с демонстрацией процесса выращивания 2 и 4-дюймового кристалла AlN. ГКНК также разработала процесс выращивания безмикропорного 6H-SiC для изготовления качественных затравок AlN.

ГКНК также предлагает затравки и подложки карбида кремния (SiC) диаметром 2-4 дюйма.

ГКНК является поставщиком установок для роста SiC методом физического транспорта паров (PVT), который также известен как метод сублимации. Установки являются результатом собственной разработки и обеспечивают рост высококачественных 4-6-дюймовых кристаллов SiC.

ГКНК в сотрудничестве с ФТИ им. Иоффе разработала технологию выращивания пленки графена путем термического разложения поверхности SiC в атмосфере аргона. Пленки графена на SiC предназначены для возможного применения в газовых сенсорах и биосенсорах.

Нашими покупателями являются научно-исследовательские институты и коммерческие компании - производители полупроводниковых приборов.

PVT growth system
2, 3, 4, 6 inch 4H SiC wafer samples