Вольфрамовая печь для выращивания кристаллов нитрида алюминия (AlN) диаметром 2-4 дюйма
СПЕЦИФИКАЦИЯ
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Диапазон регулирования температуры в ростовой камере | 30 – 2300 ℃ |
| Точность поддержания температуры в ростовой камере, не хуже | ± 5 ℃ |
| Диапазон давления в ростовой камере | 1,3 ⋅ 10-3 – 1,0 ⋅ 105 Па |
| Диапазон регулирования скорости подачи газов в ростовую камеру | 0 – 1 ст. л/мин. |
| Потребляемая электрическая мощность, не более | 60 кВт |
| Электропитание, три фазы |
3 ⨯ 380 ± 38 В 50 ± 0,5 Гц |
Выращенные 2-дюймовые кристаллы AlN и изготовленные 2-дюймовые подложки AlN
2-дюймовые кристаллы AlN
2-дюймовые подложки AlN
Печь также позволяет выращивать кристаллы AlN большого размера, диаметром до 4 дюймов.
Демонстрация технической возможности выращивания кристаллов AlN большого диаметра (типоразмер 4 дюйма)
Однородный поликристаллический AlN толщиной 3 мм (95 мм диаметром), осажденный на ТаС диск
Кристалл AlN на 101-милиметровой подложке SiC
На заказ печь может поставляться вместе с демонстрацией процесса выращивания 2 и 4-дюймового AlN.