Затравка AlN диаметром 15 мм на пластине TaC

AlN seed on TaC plate

СПЕЦИФИКАЦИЯ

Описание продукции Затравка AlN диаметром 15 мм на пластине TaC
Градация A Градация B Градация C
Диаметр затравки > 15 мм > 15 мм > 15 мм
Толщина затравки > 1 мм > 1 мм > 1 мм
Диаметр пластины ТаС 16-20 мм 16-20 мм 16-20 мм
Толщина пластины ТаС > 1 мм > 1 мм > 1 мм
Поверхность роста AlN AlN AlN
Полуширина рентгеновской кривой качания AlN (00.2) < 5' < 5' < 5'
Трещины Трещины, возникающие на фазовой границе SiC-AlN Трещины, возникающие на фазовой границе SiC-AlN Трещины, возникающие на фазовой границе SiC-AlN
Полезная монокристаллическая площадь > 90 % > 70 % > 50 %
Чистота (концентрация Si и C) Si ~ 5 ат.%
C ~ 5 ат.%
Si ~ 5 ат.%
C ~ 5 ат.%
Si ~ 5 ат.%
C ~ 5 ат.%

Возможны трещины в затравках, появляющиеся на поверхности кристалла. Эти трещины возникают при охлаждении кристаллов, растущих на подложках карбида кремния, вследствие различных коэффициентов теплового расширения карбида кремния и нитрида алюминия.

Мы установили, что наличие этих трещин незначительно влияет на качество затравок нитрида алюминия при дальнейшем росте кристаллов из этого материала.

Плотность трещин составляет 101–102 /см2.