Высококачественные плёнки графена на подложках карбида кремния (SiC)
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
- Электронные приборы
- Конвертеры и устройства сохранения энергии с высокой плотностью
- Источники и приемники импульсного терагерцового излучения
- Солнечные элементы и панели
- Конденсаторы высокой емкости
- Пъезоэлектрические устройства
СПЕЦИФИКАЦИЯ
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Материал | Эпитаксиальный графен на SiC |
| Метод роста | Термодеструкция поверхности SiC |
| Политип подложки | 4H |
| Сопротивление подложки | >105 Ом⋅см |
| Лицевая сторона | Si (0001) |
| Размер образца | 5 мм ⨯ 5 мм |
| Покрытие поверхности SiC графеном | 100% |
| Покрытие поверхности SiC монослойным графеном | 90-95% |
| Шероховатость поверхности (RMS) измеренная методом атомно-силовой микроскопии (AFM) | < 1 нм (область сканирования 10 мкм x 10 мкм) |
| Высота ступени | 0.5-2 нм |
| Ширина террасы | 100-300 нм |
| Тип проводимости | n |
