Затравки карбида кремния (SiC)

Политип 4Н

Диаметр 100 мм

4-inch silicon carbide (SiC) wafer

СПЕЦИФИКАЦИЯ

Параметр Значение
Градация A Градация B
Диаметр, мм 100.0 ± 0.1
Толщина, мкм 500–800
Легирующая примесь n-тип: азот
Плотность микропор, см-2 < 0.2 < 2
Прогиб, мкм < 15
Коробление, мкм/td> < 8
Полный разброс по толщине (TTV), мкм < 8
Ориентация пластины, ± град. 4 ± 0.5 к плоскости (0001)
Обработка поверхности Si –сторона – после шлифовки
C –сторона – оптическая полировка
Длина базового среза, мм 32.5 ± 1
Ориентация базового среза, ± град. <11-20> ± 5
Длина вспомогательного среза, мм 11 ± 2
Ориентация вспомогательного среза, ± град. Si-сторона: 90±5° по часовой стрелке от базового среза
Удельное сопротивление, Ом*см ≤ 0.03
Упаковка Индивидуальный контейнер