Затравки карбида кремния (SiC)
Политип 4Н
Диаметр 2 дюйма
СПЕЦИФИКАЦИЯ
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Диаметр | 50.8 мм ± 0.25 мм |
| Ориентация поверхности | 4 ± 0.5° от вспомогательного среза <11-20> |
| Ориентация базового среза | Перпендикулярно к плоскости (11-20) ± 5° |
| Ориентация вспомогательного среза | Si-сторона: 90±5° по часовой стрелке от базового среза |
| Длина базового среза | 16.0 мм ± 2.0 мм |
| Длина вспомогательного среза | 8.0 мм ± 1.5 мм |
| Толщина | 500–800 мкм |
| Поверхность | Si –сторона – после шлифовки C –сторона – оптическая полировка |
| Плотность микропор | < 1 см-2 |
| Прогиб | < 15 мкм |
| Коробление | < 15 мкм |
| Полный разброс по толщине (TTV) | < 15 мкм |
| Проводимость | n-тип |
| Упаковка | Индивидуальный контейнер |