Подложки карбида кремния (SiC)
Политип 4Н
Диаметр 2 дюйма
СПЕЦИФИКАЦИЯ
| Параметр | Значение | ||
|---|---|---|---|
| Градация A+ | Градация A | Градация B | |
| Диаметр | 50.8 мм ± 0.25 мм | ||
| Ориентация поверхности | 4 ± 0.5° от вспомогательного среза <11-20> | ||
| Ориентация базового среза | Перпендикулярно к плоскости (11-20) ±5° | ||
| Ориентация вспомогательного среза | Si-сторона: 90±5° по часовой стрелке от базового среза | ||
| Длина базового среза | 16.0 мм ± 2.0 мм | ||
| Длина вспомогательного среза | 8.0 мм ± 1.5 мм | ||
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||
| Поверхность | epi-ready | ||
| Плотность микропор | < 0.2 см-2 | < 0.5 см-2 | < 2 см-2 |
| Прогиб | < 15 мкм | ||
| Коробление | < 15 мкм | ||
| Полный разброс по толщине (TTV) | < 15 мкм | ||
| Проводимость | n-тип | ||
| Упаковка | Индивидуальный контейнер | ||