Подложки карбида кремния (SiC)
Политип 4Н
Диаметр 3 дюйма
СПЕЦИФИКАЦИЯ
| Параметр | Значение | ||
|---|---|---|---|
| Градация A+ | Градация A | Градация B | |
| Диаметр, мм | 76.2 ± 0.38 | ||
| Толщина, мкм | 350 ± 25 | ||
| Легирующая примесь | n-тип: азот | ||
| Плотность микропор, cm-2 | < 0.2 | < 0.5 | < 2 |
| Прогиб, мкм | < 15 | ||
| Коробление, мкм | < 8 | ||
| Полный разброс по толщине (TTV), мкм | < 8 | ||
| Ориентация пластины, ±град. | 4 ± 0.5, off-axis | ||
| Обработка поверхности | epi-ready | ||
| Длина базового среза, мм | 32.5 ± 1 | ||
| Ориентация базового среза, ±град. | <11-20> ± 5 | ||
| Длина вспомогательного среза, мм | 11 ± 2 | ||
| Ориентация вспомогательного среза, ±град. | Si-сторона: 90±5° по часовой стрелке от базового среза | ||
| Удельное сопротивление, Ом*см | ≤ 0.03 | ||
| Упаковка | Индивидуальный контейнер | ||